深次微米元件與製程模擬-進階應用(實作課)


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課程簡介

1. 前瞻深次微米元件傳輸模式與模擬實務概論
2. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之製程模擬實作
3. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之元件結構模擬實作
4. 前瞻深次微米元件之DC/AC特性模擬實作與短通道參數萃取
5. 溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作

上課時間

107年8月01日至08月31日每週六、日 AM9:00~PM16:00

上課地點

交通大學電子資訊研究大樓503室

課程費用

5,000元

聯絡資訊

開班單位:國立交通大學電子人才培訓中心 林小姐電話:+886-3-5731744 傳真:+886-3-5711992地址:300新竹市大學路1001號 工程四館312A室辦公時間:週一至週五 8:30~17:30(中午休息)

課程目標

本課程旨在使用當代TCAD元件模擬器去建構並模擬三維度深次微米元件,包括深次微米HKMG MOSFET、鰭式場效應電晶體、全閘極奈米線場效應電晶體的電氣特性,如直流特性、電容特性、短通道參數;同時簡介並進行溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作。

先備知識

上過初階課程:深次微米元件與製程模擬(實作課)

備註

學員自付學費【由科管局補助80%】 .5,000元 備註:一般價 .4,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價 .4,000元 備註:5人(含)以上團報價、同時報名P107125+P107126二門課