課程簡介
1. 前瞻深次微米元件傳輸模式與模擬實務概論
2. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之製程模擬實作
3. 鰭式場效應電晶體/奈米線場效應電晶體之元件結構模擬實作
4. 前瞻深次微米元件之DC/AC特性模擬實作與短通道參數萃取
5. 溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作
上課時間
107年8月01日至08月31日每週六、日 AM9:00~PM16:00
上課地點
交通大學電子資訊研究大樓503室
課程費用
5,000元
聯絡資訊
開班單位:國立交通大學電子人才培訓中心 林小姐電話:+886-3-5731744 傳真:+886-3-5711992地址:300新竹市大學路1001號 工程四館312A室辦公時間:週一至週五 8:30~17:30(中午休息)
課程目標
本課程旨在使用當代TCAD元件模擬器去建構並模擬三維度深次微米元件,包括深次微米HKMG MOSFET、鰭式場效應電晶體、全閘極奈米線場效應電晶體的電氣特性,如直流特性、電容特性、短通道參數;同時簡介並進行溫度效應、量子效應、製程變異、與隨機擾動之模擬實作。
先備知識
上過初階課程:深次微米元件與製程模擬(實作課)
備註
學員自付學費【由科管局補助80%】
.5,000元 備註:一般價
.4,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價
.4,000元 備註:5人(含)以上團報價、同時報名P107125+P107126二門課