ULSI前瞻性元件及製程技術



  • 開課機構: 交通大學電子人才培訓中心
  • 講師介紹: 廖傑


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    課程簡介

    1.半導體製程技術之演進
    2.MOSFET元件原理及製程技術
    3.Strained-Si製程技術
    4.SiGe-channel製程技術
    5.High-K/Metal Gate製程技術
    6.SOI元件操作原理及製程技術
    7.立體型電晶體(3D FinFET)製程技術

    上課時間

    107年8月26日至9月16日(每週日)Am9:00~12:00

    上課地點

    交通大學工程四館教室

    課程費用

    6,000元

    聯絡資訊

    開班單位:國立交通大學電子人才培訓中心 林小姐電話:+886-3-5731744 傳真:+886-3-5711992地址:300新竹市大學路1001號 工程四館312A室辦公時間:週一至週五 8:30~17:30(中午休息)

    課程目標

    幫助學員了解ULSI前瞻性元件及技術,將從基礎之MOSFET操作原理及其製程技術介紹開始,再循序漸進,深入淺出地介紹銅金屬、SOI元件、strained-Si元件、SiGe-channel元件、以及3D Tri-gate 和FinFET元件之製程整合技術;是一門概括全面性的ULSI前瞻性元件及製程技術介紹。

    先備知識

    積體電路設計

    備註

    學員自付學費【由科管局補助80%】 .6,000元 備註:一般價 .5,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價 .5,000元 備註:5人(含)以上團報優惠價