深次微米元件與製程模擬(實作課)


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課程簡介

1. TCAD模式與模擬簡介
2. 深次微米元件與製程模式基礎原理
3. 深次微米元件與製程模擬技術實務
4. 製程模擬上機入門: 1D PN、BJT製程模擬實作
5. 製程模擬上機入門: 基本2D MOSFET製程模擬實作
6. 元件模擬上機入門: 基本2D MOSFET元件結構模擬實作
7. 深次微米N-/P-MOSFETs元件DC/AC特性模擬實作
8. 深次微米CMOS電路之Mixed Mode模擬實作
9. 3D深次微米MOSFETs模擬實作

上課時間

107年8月01日至08月31日每週六、日 AM9:00~PM16:00

上課地點

交通大學電子資訊研究大樓503室

課程費用

7,000元

聯絡資訊

開班單位:國立交通大學電子人才培訓中心 林小姐電話:+886-3-5731744 傳真:+886-3-5711992地址:300新竹市大學路1001號 工程四館312A室辦公時間:週一至週五 8:30~17:30(中午休息)

課程目標

講解深次微米半導體元件與製程之基礎模式與模擬TCAD軟體實作實務。本課程由深次微米半導體元件與製程之模式與電腦模擬基本原理出發,同時輔以TCAD軟體(如: Sentaurus, …等)上機實作。從製程步驟、元件特性、與指令操作出發,以淺顯的指令解說TCAD,輔以1D/2D/3D MOSFET元件範例剖析讓學員了解模擬在深次微米元件與製程之應用。

備註

學員自付學費【由科管局補助80%】 .7,000元 備註:一般價 .6,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價 .6,000元 備註:5人(含)以上團報價、同時報名P107125+P107126二門課