課程簡介
1. 矽鍺材料 1.1 矽鍺晶體結構 1.2 矽鍺應變與臨界厚度(critical thickness) 1.3 矽鍺能帶結構(band structure) 2. 矽鍺成長 2.1 CVD 磊晶 2.2 MBE磊晶 3. 矽鍺元件 3.1 雙軸應變(bi-axial strained)MOSFETs 3.2 單軸應變(uni-axial strained)MOSFETs 3.3 SiGe HBTs 4. Ge元件 4.1 Ge MOSFETs 4.2 Ge FinFETs
上課時間
107年8月24日至8月31日(每週五)Pm18:30~21:30
上課地點
交通大學工程四館教室
課程費用
2,000元
聯絡資訊
開班單位：國立交通大學電子人才培訓中心 林小姐電話：+886-3-5731744 傳真：+886-3-5711992地址：300新竹市大學路1001號 工程四館312A室辦公時間：週一至週五 8:30~17:30(中午休息)
課程目標
矽鍺技術已成功應用在半導體元件製造方面，如SiGe HBT, SiGe MOSFETs等。目前有關SiGe, Ge元件的研發仍然在持續當中。本課程主要讓學員在短時間內對SiGe材料的物理特性、電學特性、SiGe磊晶、SiGe相關元件以及最新進展有一個全面瞭解，以增強學員在該領域的知識背景和拓寬專業
先備知識
半導體物理或固態物理
備註
學員自付學費【由科管局補助80%】
．2,000元 備註:一般價
．1,600元 備註:特約廠商、3人（含）以上團報價
．1,400元 備註:5人（含）以上團報優惠價