新穎鐵電負電容電晶體


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課程簡介

1. Introduction to Principles of Negative Capacitance FETs.
2. Challenges and Opportunity on nanoscale device
3. Current Progress and Review on 2015-2018 IEDM/VLSI Symposia

上課時間

107年8月15日至8月29日(每週三) Pm18:30~21:30

上課地點

交通大學工程四館教室

課程費用

3,000元

聯絡資訊

開班單位:國立交通大學電子人才培訓中心 林小姐電話:+886-3-5731744 傳真:+886-3-5711992地址:300新竹市大學路1001號 工程四館312A室辦公時間:週一至週五 8:30~17:30(中午休息)

課程目標

1. 電容在電晶體內扮演的角色(IDL/Spacer)。 2. 傳統電容vs.負電容之差異。 3. 節能電晶體/物聯網的開發與應用。 4. 近3年負電容相關發展重點。

先備知識

普物、普化

備註

學員自付學費【由科管局補助80%】 .3,000元 備註:一般價 .2,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價 .2,000元 備註:5人(含)以上團報優惠價