功率半導體元件


分享至FaceBook  分享至Google  分享至Twitter

課程簡介

1. Semiconductor Breakdown Physics
2. Power Rectifiers
3. Bipolar Junction Transistors
4. Thyristors
5. Power MOSFET
6. IGBT
7. Wide Bandgap Semiconductors

上課時間

107年7月4日至7月25日(每週三) Pm18:30~21:30

上課地點

交通大學工程四館303教室

課程費用

3,000元

聯絡資訊

開班單位:國立交通大學電子人才培訓中心 林小姐電話:+886-3-5731744 傳真:+886-3-5711992地址:300新竹市大學路1001號 工程四館312A室辦公時間:週一至週五 8:30~17:30(中午休息)

課程目標

功率積體電路及元件在相關電機電子產品領域中應用日漸增多,但功率元件的設計製造及工作條件則有別於一般的傳統IC元件,故本課程的宗旨即在闡述功率元件的基本物理結構及相關的高壓技術,涵蓋的元件包含Power Rectifiers,Bipolar Transistors,Thyristors,Power MOSFET, IGBT以及Wide Bandgap Semiconductors。

先備知識

半導體元件物理

備註

學員自付學費【由科管局補助80%】 .3,000元 備註:一般價 .2,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價 .2,000元 備註:5人(含)以上團報優惠價