課程簡介
1. 功率元件製作技術簡介
2. 功率元件特性分析簡介
3. TCAD軟體上機實作: 功率元件結構設計之模擬分析
4. TCAD軟體上機實作: 功率元件基本電性之模擬分析
5. TCAD軟體上機實作: 功率元件電-熱特性之模擬分析
上課時間
107年6月23日至6月24日(週六、日) Am9:00~12:00，Pm13:00~17:30
上課地點
交通大學工程四館414電腦教室
課程費用
4,500元
聯絡資訊
開班單位：國立交通大學電子人才培訓中心 林小姐電話：+886-3-5731744 傳真：+886-3-5711992地址：300新竹市大學路1001號 工程四館312A室辦公時間：週一至週五 8:30~17:30(中午休息)
課程目標
本課程目標是針對高科技半導體業界對於功率元件製程設計及其元件之基本電性分析，進行TCAD模擬分析之實作培訓工作。 在課程將介紹矽半導體橫向擴散式金-氧-半場效電晶體(LDMOS)功率元件之製程設計以及元件特性分析，例如: 臨界電壓、崩潰電壓、導通電阻及其元件操作時的熱效應，並且利用TCAD模擬軟體完成功率元件結構設計及電-熱特性之實作訓練，並且在範例演練過程中講述模擬程式指令用法，使學員可以學習到TCAD模擬在功率元件設計之技術開發上的應用。
先備知識
半導體製程、半導體元件物理
備註
學員自付學費【由科管局補助80%】
．4,500元 備註:一般價
．4,000元 備註:特約廠商、3人（含）以上團報價
．3,000元 備註:5人（含）以上團報價、同時報名P107127+P107128二門課