CMOS電性量測與分析技術(實作課)


分享至FaceBook  分享至Google  分享至Twitter

課程簡介

初階
1.低電流/低電壓測試系統(Low current/low voltage measurement technology)
2.MOS電容基本參數測試(Basic parameters of MOS capacitor)
3.MOSFET基本參數測試(Basic parameters of MOSFET)

中階
1.接觸阻抗測試技術(Contact resistance measurement method)
2.介面能態測試技術(Interface state density measurement method)
3.電荷汲取測試技術(Charge pumping measurement method)

上課時間

2018/6/20~2018/7/25 pm 18:00~21:50

上課地點

交通大學工程四館301教室

課程費用

5,000元

聯絡資訊

開班單位:國立交通大學電子人才培訓中心 林小姐電話:+886-3-5731744 傳真:+886-3-5711992地址:300新竹市大學路1001號 工程四館312A室辦公時間:週一至週五 8:30~17:30(中午休息)

課程目標

從初階的系統建置、雜訊排除開始,由淺入深,搭配各式精密數位儀表以及高階針測臺,對奈米CMOS元件的測量原理、方法及其量測系統作深入介紹,使學員能掌握CMOS元件特性及影響其特性參數之量測知識。本課程採教學、實作並行,使學員能立即吸收上課內容。

先備知識

建議至少修畢一學期「半導體元件物理」或類似課程。

備註

學員自付學費【由科管局補助80%】 .5,000元 備註:一般價 .4,500元 備註:特約廠商、3人(含)以上團報價 .4,000元 備註:5人(含)以上團報優惠價 .3,000元 備註:學生價(需出示學生證)